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SI4804DY-T1 参数 Datasheet PDF下载

SI4804DY-T1图片预览
型号: SI4804DY-T1
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内容描述: 双N通道30 -V (D -S )的MOSFET [Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 64 K
品牌: VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
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Si4804DY
Vishay Siliconix公司
规格(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
I
D(上)
r
DS ( ON)
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ,T
J
= 55_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V,I
D
= 7.5 A
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 6.5 A
V
DS
= 15 V,I
D
= 7.5 A
I
S
= 1.7 A,V
GS
= 0 V
20
0.018
0.024
22
0.8
1.2
0.022
0.030
0.8
"100
1
5
V
nA
mA
A
W
S
V
符号
测试条件
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
G
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
I
F
= 1.7 A, di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 15 V ,R
L
= 15
W
I
D
^
1 ,V
= 10 V ,R
G
= 6
W
0.5
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V,I
D
= 7.5 A
13
2
2.7
1.9
8
10
21
10
40
4
16
20
40
20
80
ns
W
20
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士,
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证,不受生产测试。
典型特征( 25_C除非另有说明)
输出特性
20
V
GS
= 10直通4 V
16
I
D
漏电流( A)
I
D
漏电流( A)
3V
16
20
传输特性
12
12
8
8
T
C
= 125_C
4
25_C
−55_C
4
2V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
漏极至源极电压( V)
www.vishay.com
V
GS
栅极 - 源极电压( V)
文档编号: 71088
S- 31989 -REV 。 D, 13 - OCT- 03
2