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SI4804DY-T1 参数 Datasheet PDF下载

SI4804DY-T1图片预览
型号: SI4804DY-T1
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内容描述: 双N通道30 -V (D -S )的MOSFET [Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 64 K
品牌: VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
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Si4804DY
Vishay Siliconix公司
双N通道30 -V (D -S )的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
r
DS ( ON)
(W)
0.022 @ V
GS
= 10 V
0.030 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
7.5
6.5
D
1
D
1
D
2
D
2
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
顶视图
订购信息: Si4804DY
Si4804DY -T1 (带编带和卷轴)
S
1
N沟道MOSFET
S
2
N沟道MOSFET
8
7
6
5
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
G
2
绝对最大额定值(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流(T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流(二极管传导)
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
10秒]
30
"20
7.5
6.0
20
1.7
2.0
1.3
稳定状态
单位
V
5.7
4.6
A
A
W
_C
0.9
1.1
0.7
−55
150
热电阻额定值
参数
最大Ĵ
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚(漏极)
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号: 71088
S- 31989 -REV 。 D, 13 - OCT- 03
www.vishay.com
t
v
10秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
52
93
35
最大
62.5
110
40
单位
° C / W
C / W
1