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SI4410DY-T1-A-E3 参数 Datasheet PDF下载

SI4410DY-T1-A-E3图片预览
型号: SI4410DY-T1-A-E3
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内容描述: N通道30 -V (D -S )的MOSFET [N-Channel 30-V (D-S) MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 57 K
品牌: VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
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Si4410DY
Vishay Siliconix公司
典型特征( 25_C除非另有说明)
40
源极 - 漏极二极管正向电压
0.10
导通电阻与栅极至源极电压
I S - 源电流( A)
T
J
= 150_C
10
T
J
= 25_C
r
DS ( ON)
- 导通电阻(
W
)
0.08
0.06
0.04
I
D
= 10 A
0.02
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
2
4
6
8
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
V
SD
- 源极到漏极电压(V )
0.6
0.4
0.2
V GS ( TH)方差(V )
- 0.0
- 0.2
- 0.4
- 0.6
- 0.8
- 1.0
- 50
阈值电压
80
单脉冲功率
60
I
D
= 250
mA
功率(W)的
40
20
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.01
0.10
时间(秒)
1.00
10.00
T
J
- 温度(℃ )
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
归瞬态热阻抗,结到环境
占空比= 0.5
0.2
注意事项:
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
P
DM
t
1
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA (T )
4.表层嵌
t
2
t
1
1.占空比D =
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 50
_
C / W
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
方波脉冲持续时间(秒)
1
10
30
www.vishay.com
4
文档编号: 71726
S- 40838 -REV 。 L, 03月, 04