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SI4410DY-T1-A-E3 参数 Datasheet PDF下载

SI4410DY-T1-A-E3图片预览
型号: SI4410DY-T1-A-E3
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内容描述: N通道30 -V (D -S )的MOSFET [N-Channel 30-V (D-S) MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 57 K
品牌: VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
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Si4410DY
Vishay Siliconix公司
典型特征( 25_C除非另有说明)
50
输出特性
V
GS
= 10 V直通4 V
50
传输特性
40
I D - 漏电流( A)
I D - 漏电流( A)
40
30
30
20
20
T
C
= 125_C
25_C
10
3V
10
- 55_C
0
0
2
4
6
8
10
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
0
0
1
2
3
4
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
0.030
0.025
r
DS ( ON)
- 导通电阻( W)
0.020
导通电阻与漏电流
3000
2500
Ç - 电容(pF )
2000
1500
1000
500
0
C
OSS
C
RSS
C
国际空间站
电容
V
GS
= 4.5 V
0.015
V
GS
= 10 V
0.010
0.005
0.000
0
10
20
30
40
50
I
D
- 漏电流( A)
0
6
12
18
24
30
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
栅极电荷
10
V
DS
= 15 V
I
D
= 10 A
V GS - 栅极 - 源极电压( V)
8
r
DS ( ON)
- 导通电阻( W)
1.5
2.0
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 10 A
(归一化)
6
1.0
4
2
0.5
0
0
8
16
24
32
40
0.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷( NC)
T
J
- 结温( ° C)
文档编号: 71726
S- 40838 -REV 。 L, 03月, 04
www.vishay.com
3