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SI2301DS 参数 Datasheet PDF下载

SI2301DS图片预览
型号: SI2301DS
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内容描述: P沟道1.25 -W 2.5 -V族MOSFET的 [P-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 56 K
品牌: VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
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Si2301DS
Vishay Siliconix公司
规格(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
范围
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
V
GS
= 0 V,I
D
= - 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8
V
V
DS
= - 20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 20 V, V
GS
= 0 V ,T
J
= 55_C
V
DS
v
- 5 V, V
GS
= - 4.5 V
V
DS
v
- 5 V, V
GS
= - 2.5 V
V
GS
= - 4.5 V,I
D
= - 2.8 A
V
GS
= - 2.5 V,I
D
= - 2.0 A
V
DS
= - 5 V,I
D
= - 2.8 A
I
S
= - 1.6 A,V
GS
= 0 V
-6
-3
0.105
0.145
6.5
- 0.80
- 1.2
0.130
0.190
- 20
- 0.45
"100
-1
- 10
V
nA
mA
符号
测试条件
典型值
最大
单位
导通状态
在国家漏极电流
I
D( )
D(上)
A
漏源导通电阻
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
r
DS ( )
DS ( ON)
g
fs
V
SD
W
S
V
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
= - 6 V, V
GS
= 0中,f = 1 MHz的
V
DS
= - 6 V, V
GS
= - 4.5 V
I
D
^
- 2.8 A
5.8
0.85
1.70
415
223
87
pF
10
nC
开关
开启
启动时间
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DD
= - 6 V ​​,R
L
= 6
W
I
D
^
- 1 0 A V
= - 4.5 V
1.0 A,
45
R
G
= 6
W
13.0
36.0
42
34
25
60
70
60
ns
打开-O FF时间
笔记
一。脉冲测试: PW
v300
ms
占空比
v2%.
B 。对于辅助设计ONLY,不受生产测试。
Ç 。开关时间基本上是独立的工作温度。
www.vishay.com
2
文档编号: 70627
S- 31990 -REV 。 E, 13 - OCT- 03