SI2301DS-T1 参数 Datasheet PDF下载

型号：	SI2301DS-T1
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	P沟道1.25 -W 2.5 -V族MOSFET的 [P-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管PC
文件页数/大小：	4 页 / 56 K
品牌：	VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]

Si2301DS

Vishay Siliconix公司

典型特征（ 25_C除非另有说明）

源极 - 漏极二极管正向电压

0.6

0.5

R DS（ON ） - 导通电阻（

)

导通电阻与栅极至源极电压

I S - 源电流（ A）

= 150_C

0.4

0.3

0.2

0.1

0.0

= 2.8 A

= 25_C

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

- 源极到漏极电压（V ）

- 栅极 - 源极电压（ V）

0.4

0.3

V GS （ TH）方差（V ）

0.2

0.1

0.0

- 0.1

- 0.2

- 50

阈值电压

功率（W）的

单脉冲功率

= 250

= 25_C

单脉冲

- 温度（℃ ）

100

150

0.01

0.10

1.00

时间（秒）

10.00

占空比= 0.5

标准化的有效瞬态

热阻抗

归瞬态热阻抗，结到环境

0.2

0.1

0.05

0.02

单脉冲

-3

-2

-1

0.1

0.01

-4

方波脉冲持续时间（秒）

www.vishay.com

文档编号： 70627

S- 31990 -REV 。 E， 13 - OCT- 03

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案