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SI2301DS-T1 参数 Datasheet PDF下载

SI2301DS-T1图片预览
型号: SI2301DS-T1
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内容描述: P沟道1.25 -W 2.5 -V族MOSFET的 [P-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管PC
文件页数/大小: 4 页 / 56 K
品牌: VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
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Si2301DS
Vishay Siliconix公司
典型特征( 25_C除非另有说明)
10
输出特性
V
GS
= 5, 4.5, 4, 3.5, 3 V
10
2.5 V
I D - 漏电流( A)
传输特性
8
I D - 漏电流( A)
8
T
C
= - 55_C
6
2V
6
25_C
125_C
4
4
2
0, 0.5, 1 V
1.5 V
2
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
0.6
0.5
R DS(ON ) - 导通电阻(
W
)
0.4
0.3
导通电阻与漏电流
1000
电容
800
Ç - 电容(pF )
600
C
国际空间站
400
C
OSS
200
C
RSS
V
GS
= 2.5 V
0.2
V
GS
= 4.5 V
0.1
0.0
0
2
4
6
8
10
I
D
- 漏电流( A)
0
0
3
6
9
12
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
5
V
DS
= 6 V
I
D
= 2.8 A
V GS - 栅极 - 源极电压( V)
4
栅极电荷
1.8
1.6
R DS(ON ) - 导通电阻(
W
)
(归一化)
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
- 50
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 2.8 A
3
2
1
0
0
2
4
6
8
0
50
100
150
Q
g
- 总栅极电荷( NC)
T
J
- 结温( ° C)
文档编号: 70627
S- 31990 -REV 。 E, 13 - OCT- 03
www.vishay.com
3