新产品
S1A通S1M
威世通用半导体
100
100
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50毫伏
p-p
正向电流（A ）
10
结电容（pF ）
T
J
= 25 °C
1
10
0.1
脉冲宽度= 300微秒
1 ％占空比
0.01
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
1
0.01
0.1
1
10
100
正向电压（V
)
反向电压（ V）
图。 3 - 典型的正向特性
图。 5 - 典型结电容
10
1000
1
T
J
= 125 °C
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
瞬时反向漏
电流（ μA ）
100
S1K ， S1M
0.1
T
J
= 75 °C
S1A通S1J
10
单位安装
0.20" X 0.20" （5.0毫米× 5.0毫米）
X 0.5密耳。英寸（0.013 MM）
厚铜土地面积
1
0.01
0.1
1
10
100
0.01
T
J
= 25 °C
0.001
0
20
40
60
80
100
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
吨 - 脉冲持续时间（ S）
图。 4 - 典型的反向漏电特性
图。 6 - 典型的瞬态热阻抗
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
DO- 214AC （ SMA）的
阴极带
贴装焊盘布局
0.066 (1.68)
分钟。
0.074 (1.88)
马克斯。
0.065 (1.65)
0.049 (1.25)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.177 (4.50)
0.157 (3.99)
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
0.060 (1.52)
分钟。
0.208 (5.28)
REF 。
0.090 (2.29)
0.078 (1.98)
0.060 (1.52)
0.030 (0.76)
0.008 (0.203)
0 (0)
0.208 (5.28)
0.194 (4.93)
文档编号： 89272
修订： 19 -APR- 11
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3
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