新产品
S1A通S1M
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大瞬时
正向电压
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
典型的反向恢复时间
典型结电容
测试条件
1.0 A
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A,
I
rr
= 0.25 A
4.0 V， 1 MHz的
符号
V
F
1.0
I
R
t
rr
C
J
50
1.8
12
μs
pF
S1A
S1B
S1D
S1G
1.1
5.0
μA
S1J
S1K
S1M
单位
V
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
典型热阻
(1)
符号
R
θJA
R
θJL
S1A
S1B
S1D
75
27
S1G
S1J
S1K
85
° C / W
30
S1M
单位
记
(1)
从结点到环境的热阻结点到铅安装在PCB与0.2" X 0.2" （5.0毫米× 5.0毫米）铜焊盘区
订购信息
（例）
首选的P / N
S1J-M3/61T
S1J-M3/5AT
单位重量（g ）
0.064
0.064
首选包装代码
61T
5AT
基地数量
1800
7500
配送方式
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
1.2
100
平均正向电流（ A）
1.0
S1A通S1J
0.8
峰值正向浪涌电流（ A）
负载电阻或电感
T
L
= 110 °C
8.3ms单一正弦半波
S1A通S1J
0.6
S1K ， S1M
0.4
10
S1K ， S1M
0.2
0.2" X 0.2" （5.0毫米× 5.0毫米）
厚的铜焊盘区
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
1
10
100
铅温度（ ℃）
循环次数在60赫兹
图。 1 - 正向电流降额曲线
图。 2 - 最大非重复性峰值正向浪涌电流
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2
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修订： 19 -APR- 11
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