MSP3V3 ， MSP5.0A
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额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
150
威世通用半导体
1000
I
PPM
- 峰值脉冲电流（ ％I
RSM
)
峰值
I
PPM
100
半值 - 我
PP
I
PPM
2
50
C
J
- 结电容（pF ）
t
r
= 10 μs
t
r
= 8 μs
T
J
= 25 °C
脉冲宽度（T
d
）是
DEFINED作为点
在峰值电流
衰减到第I 50％
PPM
测得零偏置
在测
对峙
电压，V
WM
t
d
= 1000 μs
t
d
= 20 μs
t
d
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50毫伏
p-p
100
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
吨 - 时间（ms ）
V
WM
- 反向
对峙
电压（V）的
图。 4 - 典型结电容
图。 1 - 脉冲波形
100
1.2
非重复脉冲
波形
示
图。 1
T
A
= 25 °C
T
A
= T
M
，安装在
6.0毫米X 6.0毫米铜焊盘
P
PPM
- 峰值脉冲功率（kW ）
10
P
D
- 功耗（ W）
1.0
0.8
1
0.6
安装在最小
Recommende垫区
0.4
0.1
0.24" X 0.24" （6.0毫米× 6.0毫米）
铜焊盘区
0.01
0.1
1
10
100
1000
10 000
0.2
0.0
0
25
50
75
100
125
150
175
t
d
- 脉冲宽度（微秒）
环境温度（ ℃）
图。 2 - 额定峰值脉冲功率曲线
图。 5 - 功耗降额曲线
峰值脉冲功率（P
PP
）或电流（I
PP
)
降额百分比（ ％ ）
100
1000
75
50
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
结到环境
100
25
0
0
25
50
75
100
125
150
175
10
0.01
0.1
1
10
100
1000
T
J
- 初始温度（ ℃）
吨 - 脉冲持续时间（ S）
图。 3 - 脉冲功率或电流与初始结温
图。 6 - 典型的瞬态热阻抗
修订： 12 -JUL- 12
文档编号： 88486
3
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