MSP3V3 ， MSP5.0A
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威世通用半导体
表面贴装牛逼
RANS
Z
ORB®
瞬态电压抑制器
特点
ESMP系列
®
•非常低调 - 为0.65mm典型的高度
•适合自动放置
•氧化物平面芯片结
•只有单向极性
•峰值脉冲功率： 150 W（ 10/1000微秒）
• ESD能力：
15千伏（空气） ， 8千伏（接触）
•符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020C标准， LF最大峰值
260 °C
• AEC- Q101标准
•不推荐用于PCB板底部安装波
•材料分类：为符合定义
请参阅
www.vishay.com/doc?99912
顶视图
底部视图
MicroSMP
主要特征
V
WM
V
BR
P
PPM
T
J
马克斯。
极性
包
3.3 V至5.0 V
4.1 V至7.07 V
150 W
150 °C
单向
MicroSMP
机械数据
案例：
MicroSMP
塑封料符合UL 94 V - 0阻燃等级
底座P / N - M3 - 无卤素，符合RoHS标准，并
商业级
底座P / NHM3 - 无卤素，符合RoHS标准，并
汽车级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD 22 - B102
M3后缀符合JESD 201级1A晶须测试， HM3后缀
符合JESD 201级2晶须测试
极性：
色环表示阴极结束
典型应用
使用对电压敏感的电子设备保护
诱发感性负载开关和灯光瞬间
上的IC ，MOSFET的传感器单元，用于保护信号线
对瞬态过电压敏感的设备。
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
峰值功率耗散与10/1000 μs的波形（图1）
峰值脉冲电流具有10/1000 μs的波形
功耗
功耗
工作结存储温度范围
笔记
(1)
非重复电流脉冲，每个图1
(2)
搭载6.0上毫米× 6.0毫米铜垫给每个终端
(3)
安装在最小建议焊盘布局
T
M
= 120 °C
T
A
= 25 °C
符号
P
PPM （1）（ 2）
I
PPM （1）
P
D (2)
P
D (3)
T
J
, T
英镑
价值
150
看下表
1.0
0.5
- 55至+ 150
单位
W
A
W
W
°C
修订： 12 -JUL- 12
文档编号： 88486
1
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