IRFL9014 ， SiHFL9014
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
当前
a
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
-
-
-
-
-
-
-
-
80
0.096
- 1.8
A
- 14
- 5.5
160
0.19
V
ns
µC
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= - 1.8 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= - 6.7 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
典型特征
25 ℃，除非另有说明
顶部
V
GS
-
15
V
10
1
25
°
C
150
°
C
- I
D
，漏电流（ A）
- I
D
，漏电流（ A）
10
1
-10
V
-8.0
V
-7.0
V
-6.0
V
-5.5
V
-5.0
V
底部-4.5
V
10
0
10
0
4.5
V
10
-1
20
µs
脉冲
宽度
T
C
=
25 °C
10
-1
10
0
10
1
10
-1
20
µs
脉冲
宽度
V
DS
=
- 25
V
4
5
6
7
8
9
10
91195_01
-
V
DS
，漏 - 源
电压
(V)
91195_03
-
V
GS ，
栅极 - 源
电压
(V)
图。 3 - 典型的传输特性
图。 1 - 典型的输出特性，T
C
= 25 °C
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
2.5
10
1
I
D
= - 6.7 A
V
GS
= 10
V
- I
D
，漏电流（ A）
2.0
1.5
10
0
顶部
V
GS
-
15
V
4.5
V
1.0
10
-1
-10
V
-8.0
V
-7.0
V
-6.0
V
-5.5
V
-5.0
V
底部-4.5
V
0.5
20
µs
脉冲
宽度
T
C
=
150 °C
10
1
10
0
91195_02
0.0
- 60 - 40 - 20 0
20 40 60
80
100 120 140 160
-
V
DS ，
漏 - 源
电压
(V)
91195_04
T
J,
结温（ ° C）
图。 2 - 典型的输出特性，T
C
= 150 °C
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
文档编号： 91195
S- 81412 -REV 。 A， 07 -JUL- 08
www.vishay.com
3
VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
