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IRFL9014TRPBF 参数 Datasheet PDF下载

IRFL9014TRPBF图片预览
型号: IRFL9014TRPBF
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内容描述: 功率MOSFET [Power MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管
文件页数/大小: 8 页 / 1037 K
品牌: VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
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IRFL9014 , SiHFL9014
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃,除非另有说明
参数
最大功率耗散
最大功率耗散( PCB安装)
e
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议(峰值温度)
10秒
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
符号
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
极限
3.1
2.0
- 4.5
- 55至+ 150
300
d
单位
W
V / ns的
°C
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度(参见图11)。
B 。 V
DD
= - 25 V ,起始物为
J
= 25℃时,L = 50毫亨,R
G
= 25
Ω,
I
AS
= - 1.8 A(见图12 )。
C.我
SD
- 6.7 A, di / dt的
90 A / μs的,V
DD
V
DS
, T
J
150 °C.
ð 。 1.6毫米的情况。
Ë 。当安装在1"正方形板( FR-4或G- 10材料)。
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
( PCB安装)
a
最大结至外壳(漏)
符号
R
thJA
R
thJC
典型值。
-
-
马克斯。
60
40
单位
° C / W
一。当安装在1"正方形板( FR-4或G- 10材料)。
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃,除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
L
D
L
S
铅之间,
从6毫米( 0.25" )
封装中心
模具接触
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
g
fs
V
GS
= 0 V,I
D
= 250 µA
参考至25℃ ,我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 µA
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= - 60 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 48 V, V
GS
= 0 V ,T
J
= 125 °C
V
GS
= - 10 V
I
D
= 1.1 A
b
V
DS
= - 25 V,I
D
= 1.1 A
b
- 60
-
- 2.0
-
-
-
-
1.3
-
- 0.059
-
-
-
-
-
-
-
-
- 4.0
± 100
- 100
- 500
0.50
-
V
V /°C的
V
nA
µA
Ω
S
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫,见图。五
-
-
-
-
270
170
31
-
-
-
11
63
9.6
31
4.0
6.0
-
-
-
12
3.8
5.1
-
-
-
-
-
nH
-
ns
nC
pF
V
GS
= - 10 V
I
D
= - 6.7 A,V
DS
= - 48 V,
参见图。 6和13
b
-
-
-
V
DD
= - 30 V,I
D
= - 6.7 A,
R
G
= 24
Ω,
R
D
= 4.0
Ω,
参见图。 10
b
-
-
-
-
G
-
S
www.vishay.com
2
文档编号: 91195
S- 81412 -REV 。 A, 07 -JUL- 08