IRFBC40S ， IRFBC40L ， SiHFBC40S ， SiHFBC40L
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
10秒
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 50 V ;起始物为
J
= 25 ° C，L = 27 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 6.2 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
6.2 A， di / dt的
≤
80 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
ð 。 1.6毫米的情况。
Ë 。使用IRFBC40 / SiHFBC40数据和试验条件。
符号
T
J
, T
英镑
极限
- 55至+ 150
300
d
单位
°C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
（ PCB安装，稳态）
a
最大结到外壳
符号
R
thJA
R
thJC
典型值。
-
-
马克斯。
40
1.0
单位
° C / W
记
一。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部源极电感
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
S
铅，模具联络中心之间
V
DD
= 300 V，I
D
= 6.2 A,
R
G
= 9.1
Ω,
R
D
= 47
Ω,V
GS
= 10 V,
参见图。 10
B，C
V
GS
= 10 V
I
D
= 6.2 A，V
DS
= 3600 V,
参见图。 6和13
B，C
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
c
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1300
160
30
-
-
-
13
18
55
20
7.5
-
-
-
60
8.3
30
-
-
-
-
-
nH
ns
nC
pF
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 µA
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 µA
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 600 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 480 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 3.7 A
b
V
DS
= 100 V，I
D
= 3.7 A
b
600
-
2.0
-
-
-
-
4.7
-
0.70
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0
± 100
100
500
1.2
-
V
V /°C的
V
nA
µA
Ω
S
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
www.vishay.com
2
文档编号： 91116
S-挂起-REV 。 A， 23军08
VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
