IRFBC40S ， IRFBC40L ， SiHFBC40S ， SiHFBC40L
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
60
8.3
30
单身
D
特点
600
1.2
•表面贴装（ IRFBC40S / SiHFBC40S ）
•小尺寸通孔（ IRFBC40L ， SiHFBC40L ）
•提供
SiHFBC20S)
TAPE
和
REEL
(IRFBC20S,
可用的
RoHS指令*
柔顺
•动态的dv / dt额定值
• 150 ° C工作温度
•快速开关
•全额定雪崩
•铅（Pb） ，免费提供
I
2
PAK （ TO- 262 ）
D
2
PAK （ TO-263 ）
描述
G
G
D
S
S
N沟道
MOSFET
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
成本效益。
对D
2
白是一种表面贴装功率封装能力
容纳模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了
最高功率能力和尽可能低的
的导通电阻，在任何现有的表面贴装型封装。该
D
2
白是适合的，因为高电流应用其
较低的内部连接性和功耗最高
2.0 W的一个典型的表面安装的应用程序。该
贯通孔版（ IRFBC40L / SiHFBC40L ）可
对低调的申请。
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
记
一。请参阅设备的方向。
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRFBC40SPbF
SiHFBC40S-E3
IRFBC40S
SiHFBC40S
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRFBC40STRLPbF
a
SiHFBC40STL-E3
a
IRFBC40STRL
a
SiHFBC40STL
a
I
2
PAK （ TO- 262 ）
IRFBC40LPbF
SiHFBC40L-E3
IRFBC40L
SiHFBC40L
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源
电压
e
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
栅源电压
e
连续漏电流
漏电流脉冲
A，E
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
B，E
重复性雪崩
当前
a
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
C，E
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91116
S-挂起-REV 。 A， 23军08
www.vishay.com
1
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
dv / dt的
V
GS
在10 V
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
极限
600
± 20
6.2
3.9
25
1.0
570
6.2
13
130
3.1
3.0
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
A
单位
V
WORK -IN -PROGRESS
VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
