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    IRF830 参数 Datasheet PDF下载

    IRF830图片预览
    型号： IRF830
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 功率MOSFET [Power MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管局域网
    文件页数/大小： 8 页 / 136 K
    品牌： VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
     浏览型号IRF830的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRF830的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRF830的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF830的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF830的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF830的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRF830的Datasheet PDF文件第8页  
    IRF830 ， SiHF830
    Vishay Siliconix公司
    1500
    1250
    I
    SD
    ，反向漏电流（ A）
    电容（pF）
    V
    GS
    = 0
    V,
    F = 1 MHz的
    C
    国际空间站
    = C
    gs
    + C
    gd
    , C
    ds
    短
    C
    RSS
    = C
    gd
    C
    OSS
    = C
    ds
    + C
    gd
    10
    1
    150
    °
    C
    1000
    750
    500
    C
    OSS
    250
    C
    RSS
    0
    10
    0
    10
    1
    C
    国际空间站
    25
    °
    C
    10
    0
    V
    GS
    = 0
    V
    0.4
    0.6
    0.8
    1.0
    1.2
    91063_05
    V
    DS ，
    漏 - 源
    电压
    (V)
    91063_07
    V
    SD
    ，源极到漏极
    电压
    (V)
    图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
    图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
    20
    V
    GS
    ，栅 - 源
    电压
    (V)
    I
    D
    = 3.1 A
    V
    DS
    = 400
    V
    10
    2
    5
    2
    16
    在这一领域有限
    by
    R
    DS （ ON）
    10
    µs
    100
    µs
    1
    ms
    10
    ms
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    V
    DS
    = 250
    V
    12
    V
    DS
    = 100
    V
    10
    5
    2
    1
    5
    2
    8
    4
    测试电路
    见图13
    0.1
    5
    2
    0
    0
    91063_06
    8
    16
    24
    32
    40
    10
    -2
    0.1
    91063_08
    T
    C
    = 25
    °C
    T
    J
    = 150
    °C
    单脉冲
    2
    5
    1
    2
    5
    10
    2
    5
    10
    2
    2
    5
    10
    3
    2
    5
    10
    4
    Q
    G
    ，总栅极电荷（ NC）
    V
    DS
    ，漏 - 源
    电压
    (V)
    图。 8 - 最高安全工作区
    图。 6 - 典型栅极电荷主场迎战漏 - 源极电压
    www.vishay.com
    4
    文档编号： 91063
    S- 81290 -REV 。 A， 16军08

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