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IRF830 参数 Datasheet PDF下载

IRF830图片预览
型号: IRF830
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内容描述: 功率MOSFET [Power MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 8 页 / 136 K
品牌: VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
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IRF830 , SiHF830
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃,除非另有说明
V
GS
15
V
10
V
8.0 V
7.0
V
6.0
V
5.5
V
5.0
V
底部4.5
V
顶部
4.5
V
10
1
10
1
I
D
,漏电流( A)
I
D
,漏电流( A)
150
°
C
25
°
C
10
0
10
0
10
-1
91063_01
20
µs
脉冲
宽度
T
C
=
25 °C
10
0
10
1
91063_03
10
-1
20
µs
脉冲
宽度
V
DS
=
50
V
4
5
6
7
8
9
10
V
DS
,漏 - 源
电压
(V)
V
GS ,
栅极 - 源
电压
(V)
图。 1 - 典型的输出特性,T
C
= 25 °C
图。 3 - 典型的传输特性
10
1
I
D
,漏电流( A)
10
0
V
GS
顶部
15
V
10
V
8.0 V
7.0
V
6.0
V
5.5
V
5.0
V
底部4.5
V
R
DS ( ON)
,漏极 - 源极导通电阻
(归一化)
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
I
D
= 3.1 A
V
GS
= 10
V
4.5
V
10
-1
10
0
91063_02
20
µs
脉冲
宽度
T
C
=
150 °C
10
1
0.0
- 60 - 40 - 20 0
20 40 60
80
100 120 140 160
V
DS ,
漏 - 源
电压
(V)
91063_04
T
J,
结温( ° C)
图。 2 - 典型的输出特性,T
C
= 150 °C
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
文档编号: 91063
S- 81290 -REV 。 A, 16军08
www.vishay.com
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