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IRF830A 参数 Datasheet PDF下载

IRF830A图片预览
型号: IRF830A
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内容描述: 功率MOSFET [Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 969 K
品牌: VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
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IRF830A , SiHF830A
Vishay Siliconix公司
R
D
V
DS
V
GS
R
G
D.U.T.
+
-
V
DD
10
V
脉冲
宽度
1
µs
占空比
0.1
%
图。 10A - 开关时间测试电路
V
DS
90
%
10
%
V
GS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
图。 10B - 开关时间波形
10
热响应(Z
thJC
)
1 D = 0.50
0.20
0.10
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
t
1
单脉冲
(热反应)
t
2
注意事项:
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.001
0.01
0.1
1
0.01
0.00001
0.0001
t
1
,矩形脉冲持续时间(秒)
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗,结至外壳
15
V
V
DS
t
p
V
DS
L
司机
R
G
20
V
t
p
D.U.T.
I
AS
0.01
Ω
+
A
-
V
DD
I
AS
图。 12A - 非钳位感应测试电路
图。 12B - 松开电感的波形
文档编号: 91061
S- 81145 -REV 。 B, 02军, 08
www.vishay.com
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