IRF830A ， SiHF830A
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
24
6.3
11
单身
D
特点
500
1.4
•低栅极电荷Q
g
结果简单驱动
可用的
需求
•改进的门，雪崩和动态dv / dt的
RoHS指令*
柔顺
耐用性
•充分界定电容和雪崩电压
和电流
•有效的C
OSS
特定网络版
•铅（Pb） ，免费提供
TO-220
应用
•开关模式电源（SMPS ）
•不间断电源
•高速电源开关
G
S
G
D
S
N沟道
MOSFET
典型SMPS拓扑
•双管正激
•半桥
=全桥
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
TO-220
IRF830APbF
SiHF830A-E3
IRF830A
SiHF830A
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
脉冲漏
当前
a
能源
b
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
T
C
= 25 °C
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
10秒
6-32或M3螺丝
极限
500
± 30
5.0
3.2
20
0.59
230
5.0
7.4
74
5.3
- 55至+ 150
300
d
10
1.1
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
磅力·中
N·m的
A
单位
V
线性降额因子
单脉冲雪崩
重复性雪崩
当前
a
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
安装力矩
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。起始物为
J
= 25 ° C，L = 18 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 5.0 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
5.0 A， di / dt的
≤
370 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
ð 。 1.6毫米的情况。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91061
S- 81145 -REV 。 B， 02军， 08
www.vishay.com
1
VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
