IL410 / IL4108
威世半导体
参数
崛起的断态临界速率
电压
上升电压的临界速度
电流换向
测试条件
V
D
= 0.67 V
DRM
, T
J
= 25 °C
V
D
= 0.67 V
DRM
, T
J
= 80 °C
V
D
= 0.67 V
DRM
,
的di / dt
CRQ
≤
15 A / MS ，T
J
= 25 °C
V
D
= 0.67 V
DRM
,
的di / dt
CRQ
≤
15 A / MS ，T
J
= 80 °C
对国家崛起的临界速度
热阻，结到
环境
部分
符号
dv / dt的
cr
dv / dt的
cr
dv / dt的
CRQ
dv / dt的
CRQ
的di / dt
cr
R
thJA
民
10000
5000
10000
5000
8.0
150
典型值。
最大
单位
V / μs的
V / μs的
V / μs的
V / μs的
A / μs的
° C / W
耦合器
参数
耦合临界上升率
输入/输出电压
共模耦合
电容
电容（输入输出）
绝缘电阻
F = 1.0兆赫，V
IO
= 0 V
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
测试条件
I
T
= 0 ，V
RM
= V
DM
= V
D（ RMS）
符号
dV
IO
/ DT
C
CM
C
IO
R
IO
R
IO
民
典型值。
10000
0.01
0.8
≥
10
12
≥
10
11
最大
单位
V / μs的
pF
pF
Ω
Ω
功率因数注意事项
杜绝虚假操作的缓冲是没有必要
因为IL410 / IL4108高的TRIAC驱动器
静态和换向的dV / dt与1.0载荷
和0.8的功率因数。当电感性负载，
功率因数低于0.8正在推动，包括：
一个RC缓冲电路或单直接穿过电容器
设备受潮峰换向dv / dt的峰值。
通常，换向dv / dt会一关断
设备留在由于储存的能量剩余
在关断器件。
但在零电压交叉optotriac的情况下，
换向dv / dt的峰值能抑制一半
可控硅的导通。如果秒杀潜力
超过的零交叉检测的禁止电压
电路，半双向晶闸管的将于断和不开启
上。此保持关闭状态可以通过使用被消除
一个缓冲电容或直接穿过放置
optotriac如示于图1。注意的值
电容随着负载的函数的电流
租。
1
CS （ μF ） = 0.0032 （ μF ） * 10 ^ （ 0.0066IL （MA ）
CS - 并联电容 -
µF
.1
.01
TA = 25 ° C， PF = 0.3
IF = 2.0毫安
.001
0
iil410_01
50
100
150
200
250
300
350
400
IL - 负载电流 - 电流（有效值）
图1.并联电容与负载电流
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4
文档编号83627
修订版1.4 ， 26 -APR- 04
VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
