IL410 / IL4108
威世半导体
参数
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE 0303第1部分，
根据DIN VDE 6110第IIIa
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
存储温度范围
环境温度范围
焊接温度
马克斯。
≤
10秒。浸焊
≥
0.5毫米从外壳底部
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
SLD
测试条件
符号
价值
≥
175
单位
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
260
Ω
Ω
°C
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电流
输入电容
热阻，结到
环境
测试条件
I
F
= 10毫安
V
R
= 6.0 V
V
F
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
F
I
R
C
IN
R
thJA
民
典型值。
1.16
0.1
25
750
最大
1.35
10
单位
V
µA
pF
° C / W
产量
参数
断态电压
测试条件
I
D（ RMS）
= 70
µA
部分
IL410
IL4108
重复峰值断态电压I
DRM
= 100
µA
Ø FF-态电流
V
D
= V
DRM
, T
AMB
= 100 °C,
I
F
= 0毫安
V
D
= V
DRM
, I
F
=额定我
FT
通态电压
通态电流
浪涌（非重复） ，通态
当前
触发电流1
触发电流2
触发电流温度。梯度
抑制电压的温度。梯度
断态电流抑制状态
保持电流
闭锁电流
零交叉禁止电压
开启时间
打开-O FF时间
V
T
= 2.2 V
I
F
=额定我
FT
V
RM
= V
DM
= V
D（ RMS）
PF = 1.0，我
T
= 300毫安
I
F
= I
FT1
, V
DRM
I
T
= 300毫安
PF = 1.0 ，V
T（ RMS ）
= 1.7 V
F = 50赫兹
V
D
= 5.0 V
V
OP
= 220 V，F = 50 Hz时，
T
J
= 100 ° C，T
pF
> 10毫秒
IL410
IL4108
符号
V
D（ RMS）
V
D（ RMS）
V
DRM
V
DRM
I
D(RMS)1
I
D(RMS)2
V
TM
I
TM
I
TSM
I
FT1
I
FT2
∆I
FT1
/∆T
j
∆I
FT2
/∆T
j
∆V
DINH
/∆T
j
I
DINH
I
H
I
L
V
IH
t
on
t
关闭
7.0
7.0
-20
50
65
5.0
15
35
50
25
200
500
1.7
民
424
565
600
800
10
100
200
3.0
300
3.0
2.0
6.0
14
14
典型值。
460
最大
单位
V
V
V
V
µA
µA
V
mA
A
mA
mA
μA /°C的
μA /°C的
毫伏/°C的
µA
µA
mA
V
µs
µs
文档编号83627
修订版1.4 ， 26 -APR- 04
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