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DG419LDY-E3 参数 Datasheet PDF下载

DG419LDY-E3图片预览
型号: DG419LDY-E3
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内容描述: 精密单片低电压CMOS模拟开关 [Precision Monolithic Low-Voltage CMOS Analog Switches]
分类和应用: 开关
文件页数/大小: 11 页 / 142 K
品牌: VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
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DG417L/418L/419L
Vishay Siliconix公司
规格(双电源± 5 V )
测试条件
除非另有说明
V+ = 5 V, V- = - 5 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
后缀限制
- 55至125℃的
温度
b
V+ = 5 V, V- = - 5 V
I
NO
, I
NC
= 5毫安, V
COM
= ± 3.5 V
V+ = 5.5 , V- = - 5.5 V
V
COM
= ± 4.5 V
V
NO
, V
NC
= ± 4.5 V
V+ = 5.5 V, V- = - 5.5 V
V
NO
, V
NC
= V
COM
= ± 4.5 V
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF, F = 1兆赫
房间
房间
房间
房间
V
IN
= 0或V
L
逻辑电源电流
地电流
e
e
ð后缀限制
- 40〜85 ℃下
d
最大
d
单位
V
Ω
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
导通电阻
符号
V
类似物
r
ON
I
否(关)
I
NC (关闭)
I
COM (关闭)
I
COM(上)
典型值
c
d
最大
d
-5
14
-1
- 15
-1
- 15
-1
- 15
0.05
30
16
10
33
3
- 71
- 76
5.2
15
0.03
- 0.002
0.002
- 0.002
-1
- 7.5
-1
- 7.5
- 1.5
5
18.5
30
1
15
1
15
1
15
1.5
41
50
32
36
-5
5
18.5
21
关闭
漏电流
a
通道上
漏电流
数字控制
输入电流
a
动态特性
开启时间
e
打开-O FF时间
e
先开后合式时间
延迟
e
TransitionTime
电荷注入
e
关断隔离
e
通道到通道
相声
e
源关断电容
e
通道上
电容
e
a
-1
- 10
-1
- 10
-1
- 10
-1
1
10
1
10
1
10
1
41
44
32
33
ns
µA
nA
I
INL
还是我
INH
t
ON
t
关闭
t
D
t
TRANS
Q
INJ
OIRR
X
TALK
C
否(关)
C
NC (关闭)
C
ON
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
NO
, V
NC
= ± 3.5 V ,见图2
DG419L只,V
NO
, V
NC
= 3.5 V
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
S1
= ± 3.5 V, V
S2
= ± 3.5 V
V
g
= 0 V ,R
g
= 0
Ω,
C
L
= 1 nF的
47
47
pC
dB
F = 1 MHz的
pF
电源
正电源电流
e
负电源电流
e
I+
I-
I
L
I
GND
1
7.5
-1
-5
1
7.5
-1
-5
1
5
1
5
µA
房间
房间
房间
文档编号: 71763
S- 71009 -REV 。 E, 14日, 07
www.vishay.com
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