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DG419LDY-E3 参数 Datasheet PDF下载

DG419LDY-E3图片预览
型号: DG419LDY-E3
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内容描述: 精密单片低电压CMOS模拟开关 [Precision Monolithic Low-Voltage CMOS Analog Switches]
分类和应用: 开关
文件页数/大小: 11 页 / 142 K
品牌: VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
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DG417L/418L/419L
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
参数
V +至V-
GND到V-
V
L
I
N
, COM ,NC , NO
a
连续电流(任何终端)
峰值电流,S或D(脉冲1毫秒, 10 %占空比)
储存温度
( AK , DQ , DY后缀)
功率耗散(包)
b
8引脚MSOP
c
8引脚SOIC
c
8引脚CERDIP
d
极限
- 0.3 13
7
(GND - 0.3 )至(V +) + 0.3
- 0.3 (V + + 0.3 )
或30毫安,以先到者为准
30
100
- 65〜 150
320
400
600
单位
V
mA
°C
mW
注意事项:
一。对NC的信号, NO , COM ,或IN超过V +或V-将由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接,或焊接到印刷电路板。
Ç 。减免6.5毫瓦/°C, 25°C以上。
ð 。减免12毫瓦/°C, 75°C以上。
规格(单电源12V)
测试条件
除非另有说明
V+ = 12 V, V- = 0 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
后缀限制ð后缀限制
- 55至125℃的
- 40〜85 ℃下
温度
b
V+ = 10.8 V, V- = 0 V
I
NO
, I
NC
= 5毫安, V
COM
= 2/9 V
V
COM
= 1/11 V
V
NO
, V
NC
= 11/1 V
V
NO
, V
NC
= V
COM
= 11/1 V
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
0.01
28
13
13
1
- 71
- 71
5
15
0.02
- 0.002
0.002
- 0.002
-1
- 7.5
-1
- 7.5
1
7.5
-1
-5
1
7.5
-1
-5
1
5
1
5
µA
pC
dB
13
-1
- 15
-1
- 15
-1
- 15
- 1.5
典型值
c
d
0
最大
d
12
20
32
1
15
1
15
1
15
1.5
43
50
31
35
-1
- 10
-1
- 10
-1
- 10
-1
d
0
最大
d
12
20
23.5
1
10
1
10
1
10
1
43
46
31
32
µA
nA
单位
V
Ω
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
导通电阻
符号
V
类似物
r
ON
I
否(关)
I
NC (关闭)
I
COM (关闭)
关机漏电流
通道泄漏电流
数字控制
输入电流
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
突破前先延时
电荷注入
e
关断隔离
e
I
COM(上)
I
INL
还是我
INH
t
ON
t
关闭
t
D
Q
INJ
OIRR
相声
e
X
TALK
C
否(关)
C
NC (关闭)
C
ON
I+
I-
V
IN
= 0或V
L
I
L
I
GND
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
NO
, V
NC
= 5 V ,见图2
DG419L只,V
NC
, V
NO
= 5 V
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
V
g
= 0 V ,R
g
= 0
Ω,
C
L
= 1 nF的
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF, F = 1兆赫
ns
通道到通道
源关断电容
e
通道上
电源
电容
e
V
IN
= 0或V + , F = 1兆赫
pF
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
地电流
www.vishay.com
2
文档编号: 71763
S- 71009 -REV 。 E, 14日, 07