4N32/ 4N33
威世半导体
产量
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 集电极击穿电压
收集器（负载）电流
功耗
线性降额
测试条件
符号
BV
首席执行官
BV
EBO
BV
CBO
BV
ECO
I
C
P
DISS
价值
30
8.0
50
5.0
125
150
2.0
单位
V
V
V
V
mA
mW
毫瓦/°C的
耦合器
参数
总功耗
线性降额
隔离测试电压（间
发射器和检测器，标准
气候： 23 ℃/ 50 ％ RH ， \\\\ nDIN
500 14)
泄漏通道
气路
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
Storange温度
工作温度
铅焊接时间
在260℃下
R
IO
R
IO
T
AMB
T
英镑
V
ISO
测试条件
符号
P
合计
价值
250
3.3
5300
单位
mW
毫瓦/ °
V
RMS
7.0
7.0
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
10
mm最小。
mm最小。
Ω
Ω
°C
°C
s
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电流
电容
测试条件
I
F
= 50毫安
V
R
= 3.0 V
V
R
= 0 V
符号
V
F
I
R
C
O
民
典型值。
1.25
0.1
25
最大
1.5
100
单位
V
µ
pF
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2
文档编号83736
修订版1.4 26 -JAN- 05
VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
