4N32/ 4N33
威世半导体
光电耦合器，光电复合输出，高增益，随着基地
连接
特点
•
•
•
•
•
非常高的电流传输比， 500 ％最小。
高绝缘电阻， 10
11
Ω
典型
标准塑料DIP封装
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
i179005
A
C
NC
1
2
3
6 B
5 C
4 E
机构认证
• UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
• DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
• BSI IEC60950 IEC60065
e3
Pb
无铅
订购信息
部分
4N32
4N33
4N32-X007
4N32-X009
4N33-X007
4N33-X009
备注
CTR > 500 ％ ， DIP - 6
CTR > 500 ％ ， DIP - 6
CTR > 500 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR > 500 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
CTR > 500 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
CTR > 500 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
描述
该4N32 4N33和光学耦合隔离器
用砷化镓红外发光二极管和一个solicon
光电复合传感器。
切换可以在保持高的可达到
驾驶与负载电路之间的隔离度。
这些光电耦合器可以被用来代替簧片和
水银继电器，寿命长的优点，高
高速开关和消除磁场。
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
峰值反向电压
正向连续电流
功耗
线性降额
从55°C
测试条件
符号
V
R
I
F
P
DISS
价值
3.0
60
100
1.33
单位
V
mA
mW
毫瓦/°C的
文档编号83736
修订版1.4 26 -JAN- 05
www.vishay.com
1
VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
