1N5817 1N5819直通
威世通用半导体
1000
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50毫伏
p-p
100
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
结电容（pF ）
10
100
1
1N5817
10
0.1
1
10
100
0.1
0.01
0.1
1
10
100
反向电压（ V）
吨 - 脉冲持续时间（ S）
图。 5 - 典型结电容
图。 7 - 典型的瞬态热阻抗
1000
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50毫伏
p-p
结电容（pF ）
100
1N5818 1N5819和
10
0.1
1
10
100
反向电压（ V）
图。 6 - 典型结电容
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
DO- 204AL （DO- 41）的
1.0 (25.4)
分钟。
0.107 (2.7)
0.080 (2.0)
DIA 。
0.205 (5.2)
0.160 (4.1)
1.0 (25.4)
分钟。
0.034 (0.86)
0.028 (0.71)
DIA 。
文档编号： 88525
修订： 20 - OCT- 09
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