1N5817 1N5819直通
威世通用半导体
肖特基势垒整流器
特点
• Guardring过电压保护
•非常小的传导损耗
•极快的切换
•低正向压降
??高频工作
•浸焊275 °C以下。 10秒，每JESD 22 - B106
•符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
DO- 204AL （DO- 41）的
典型应用
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
马克斯。
1.0 A
20 V, 30 V, 40 V
25 A
0.45 V, 0.55 V, 0.60 V
125 °C
适用于低电压高频率逆变器的使用，
续流，直流到直流转换器和极性保护
应用程序。
机械数据
案例：
DO- 204AL （DO- 41）的
塑封料符合UL 94 V - 0阻燃等级
底座P / N - E3 - 符合RoHS标准，商用级
终端：
雾锡电镀引脚，焊
J- STD- 002和JESD 22 - B102
E3后缀符合JESD 201级1A晶须试验
极性：
色环表示阴极结束
每
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大非重复性峰值反向电压
最大正向平均整流电流
在0.375" （9.5 mm）引线长度在T
L
= 90 °C
峰值正向浪涌电流， 8.3 ms单半
正弦波叠加在额定负荷
变化的电压率（额定V
R
)
工作结存储温度范围
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
V
RSM
I
F（ AV ）
I
FSM
dv / dt的
T
J
, T
英镑
1N5817
20
14
20
24
1N5818
30
21
30
36
1.0
25
10 000
- 65至+ 125
1N5819
40
28
40
48
单位
V
V
V
V
A
A
V / μs的
°C
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大正向电压
最大正向电压
最大平均反向电流
在额定阻断电压DC
典型结电容
测试条件
1.0
3.1
T
A
= 25 °C
T
A
= 100 °C
4.0 V， 1.0 MHz的
符号
V
F (1)
V
F (1)
I
R (1)
C
J
125
1N5817
0.450
0.750
1N5818
0.550
0.875
1.0
10
110
1N5819
0.600
0.900
单位
V
V
mA
pF
记
(1)
脉冲试验： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
文档编号： 88525
修订： 20 - OCT- 09
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