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BF998R 参数 Datasheet PDF下载

BF998R图片预览
型号: BF998R
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内容描述: N沟道双栅MOS -场效应四极管,耗尽型 [N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 158 K
品牌: VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
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BF998/BF998R/BF998RW
Vishay Telefunken
10
f= 800MHz
– Transducer Gain ( dB )
0
–10
–20
–0.2V
–30
–0.4V
–40
–50
–1
12818
4V
3V
2V
1V
0
Im ( y ) ( mS )
21
5
0
–5
–10
–15
–20
–25
–30
–35
–40
1300MHz
0
12821
V
DS
=8V
V
G2S
=4V
f=100...1300MHz
I
D
=5mA
10mA
20mA
f=100MHz
400MHz
700MHz
1000MHz
S
21
2
V
G2S
=–0.8V
–0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
4
8
12
16
20
24
28
32
V
G1S
– Gate 1 Source Voltage ( V )
Re (y
21
) ( mS )
Figure 7. Transducer Gain vs. Gate 1 Source Voltage
y
21s
– Forward Transadmittance ( mS )
32
28
24
20
16
12
8
4
0
0
0
12819
Figure 10. Short Circuit Forward Transfer Admittance
9
V
DS
=8V
f=1MHz
V
G2S
=4V
3V
Im ( y ) ( mS )
22
8
7
6
5
4
3
2
f=1300MHz
1000MHz
700MHz
400MHz
100MHz
0
0.25
0.50
0.75
V
DS
=15V
V
G2S
=4V
I
D
=10mA
f=100...1300MHz
1.00
1.25
1.50
2V
1V
1
0
20
24
28
12822
4
8
12
16
I
D
– Drain Current ( mA )
Re (y
22
) ( mS )
Figure 8. Forward Transadmittance vs. Drain Current
20
18
16
14
Im ( y ) ( mS )
11
12
10
8
6
4
2
0
0
12820
Figure 11. Short Circuit Output Admittance
f=1300MHz
1000MHz
700MHz
V
DS
=8V
V
G2S
=4V
I
D
=10mA
f=100...1300MHz
6
8
10
12
14
400MHz
100MHz
2
4
Re (y
11
) ( mS )
Figure 9. Short Circuit Input Admittance
Document Number 85011
Rev. 4, 23-Jun-99
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
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