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V23990-K229-A40-/1B/-PM 参数 Datasheet PDF下载

V23990-K229-A40-/1B/-PM图片预览
型号: V23990-K229-A40-/1B/-PM
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内容描述: [Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel]
分类和应用: 局域网功率控制晶体管
文件页数/大小: 16 页 / 8011 K
品牌: VINCOTECH [ VINCOTECH ]
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V23990-K229-A40-PM  
Maximum Ratings  
Tj=25°C, unless otherwise specified  
Condition  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
D1,D2,D3,D4,D5,D6,D7  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
DC forward current  
VRRM  
IF  
IFRM  
Ptot  
1200  
V
A
Th=80°C  
Tc=80°C  
25  
32  
Tj=Tjmax  
tp=10ms half sine  
Tj=Tjmax  
Repetitive peak forward current  
Power dissipation per Diode  
Maximum Junction Temperature  
160  
A
Th=80°C  
Tc=80°C  
62  
95  
W
°C  
Tjmax  
175  
Thermal Properties  
Tstg  
Top  
Storage temperature  
-40…+125  
°C  
°C  
Operation temperature under switching condition  
-40…+(Tjmax - 25)  
Insulation Properties  
Insulation voltage  
Creepage distance  
Clearance  
Vis  
t=2s  
DC voltage  
4000  
V
min 12.7  
min 12.7  
mm  
mm  
Copyright by Vincotech  
2
Revision: 4.1