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    SI3585DV 参数 Datasheet PDF下载

    SI3585DV图片预览
    型号： SI3585DV
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N和P通道20 - V（D -S）的MOSFET [N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 7 页 / 60 K
    品牌： VAISH [ VAISHALI SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号SI3585DV的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SI3585DV的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SI3585DV的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SI3585DV的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SI3585DV的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SI3585DV的Datasheet PDF文件第7页  
    Si3585DV
    Vishay Siliconix公司
    典型特征（ 25_C除非另有说明）
    输出特性
    10
    V
    GS
    = 4.5直通3.5 V
    8
    I
    D
    - 漏极电流（ A）
    3V
    I
    D
    - 漏极电流（ A）
    8
    25_C
    6
    125_C
    10
    T
    C
    = –55_C
    N沟道
    传输特性
    6
    2.5 V
    4
    4
    2
    2V
    2
    1.5 V
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    0
    0.0
    0.5
    1.0
    1.5
    2.0
    2.5
    3.0
    3.5
    4.0
    V
    DS
    - 漏极至源极电压（ V）
    V
    GS
    - 栅极 - 源极电压（ V）
    导通电阻与漏电流
    0.5
    300
    电容
    r
    DS （ ON）
    - 导通电阻（
    W
    )
    0.4
    Ç - 电容（pF ）
    250
    C
    国际空间站
    200
    0.3
    V
    GS
    = 2.5 V
    0.2
    V
    GS
    = 4.5 V
    0.1
    150
    100
    C
    OSS
    50
    C
    RSS
    0.0
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    7
    0
    0
    4
    8
    12
    16
    20
    I
    D
    - 漏极电流（ A）
    V
    DS
    - 漏极至源极电压（ V）
    栅极电荷
    4.5
    V
    GS
    - 栅极 - 源极电压（ V）
    V
    DS
    = 10 V
    I
    D
    = 2.4 A
    1.8
    导通电阻与结温
    V
    GS
    = 4.5 V
    I
    D
    = 2.4 A
    r
    DS （ ON）
    - 导通电阻（
    W)
    （归一化）
    3.6
    1.6
    1.4
    2.7
    1.2
    1.8
    1.0
    0.9
    0.8
    0.0
    0.0
    0.5
    1.0
    1.5
    2.0
    2.5
    0.6
    –50
    –25
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    Q
    g
    - 总栅极电荷（ NC）
    T
    J
    =结温（ ° C）
    文档编号： 71184
    S- 03512 -REV 。 B， 04 -APR- 01
    www.vishay.com
    3

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