Si3585DV
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
＆ QUOT ;
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= –16 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
= –16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
通态漏电流
a
V
DS
w
5 V, V
GS
= 4.5 V
I
D（上）
V
DS
p
–5 V, V
GS
= –4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 2.4 A
漏源导通电阻
a
V
GS
= -4.5 V，I
D
= –1.8 A
r
DS （ ON）
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 1.8 A
V
GS
= -2.5 V，I
D
= –1.2 A
正向跨导
a
V
DS
= 5 V，I
D
= 2.4 A
g
fs
V
DS
= -5 V，I
D
= –1.8 A
I
S
= 1.05 ，V
GS
= 0 V
V
SD
I
S
= -1.05 A，V
GS
= 0 V
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
5
–5
0.100
0.160
0.160
0.280
5
3.6
0.80
–0.83
1.10
–1.10
V
S
0.125
0.200
0.200
0.340
W
A
0.6
V
–0.5
"100
"100
1
–1
5
–5
mA
m
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
门体漏
I
GSS
二极管的正向电压
a
动态
b
N沟道
总栅极电荷
Q
g
N沟道
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 2.4 A
栅极 - 源电荷
Q
gs
P沟道
V
DS
= –10 V, V
GS
= -4.5 V，I
D
= –1.8 A
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
导通延迟时间
t
D（上）
N沟道
V
DD
= 10 V ，R
L
= 10
W
I
D
^
1 ，V
根
= 4.5 V ，R
G
= 6
W
P沟道
V
DD
= -10 V ，R
L
= 10
W
I
D
^
-1 A，V
根
= -4.5 V ，R
G
= 6
W
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
下降时间
源极 - 漏极
反向恢复时间
t
f
I
F
= 1.05 ，的di / dt = 100 A / MS
t
rr
I
F
= -1.05 A， di / dt的= 100 A / MS
P沟道
N沟道
P沟道
2.1
2.7
0.3
nC
0.4
0.4
0.6
10
11
30
34
14
19
6
24
30
20
17
17
50
50
25
30
12
36
50
40
ns
3.2
4.0
栅极 - 漏极电荷
Q
gd
上升时间
t
r
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
www.vishay.com
2
文档编号： 71184
S- 03512 -REV 。 B， 04 -APR- 01
VAISH [ VAISHALI SEMICONDUCTOR ]
