7N60A
绝对最大额定值
(
T
C
= 25 ° C，除非另有规定编）
功率MOSFET
参数
符号
评级
单位
7N60A-A
600
V
漏源电压
V
DSS
7N60A-B
650
V
栅源电压
V
GSS
±30
V
雪崩电流（注2）
I
AR
7
A
连续漏电流
I
D
7
A
漏电流脉冲（注2 ）
I
DM
28
A
单脉冲（注3 ）
E
AS
330
mJ
雪崩能量
7.5
mJ
重复的（注2）
E
AR
TO-220
65
W
功耗
P
D
TO-220F/TO-220F1
30
W
结温
T
J
+150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注：1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.重复评价：脉冲宽度限制T
J（下最大）
3. L = 12.05mH ，我
AS
= 7.4A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 27
Ω,
起始物为
J
= 25°C
热数据
参数
TO-220
TO-220F/TO-220F1
TO-220
TO-220F/TO-220F1
符号
θ
JA
θ
JA
θ
JC
θ
JC
评级
83.3
62.5
1.92
4.16
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
结到环境
结到外壳
电气特性
(T
C
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
前锋
反向
7N60A-A
7N60A-B
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
R
t
D（关闭）
t
F
Q
G
Q
GS
Q
GD
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
V
DS
= 600V, V
GS
= 0V
V
GS
= 30 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -30 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 10V ，我
D
= 3.5A （注4 ）
2.0
1.0
最小典型最大单位
600
650
10
100
-100
4.0
1.2
V
V
µA
nA
nA
V
Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
=25V, V
GS
= 0V ， F = 1.0 MHz的
950 1430
85 130
12
18
16
60
80
65
28
5.5
11
V
DD
= 300V ，我
D
= 7A ，R
G
=25Ω
（注1,2）
V
DS
= 300V ，我
D
= 7A ，V
GS
=10 V
（注1,2）
42
8.3
17
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www.unisonic.com.tw
2 7
VQW-R502-111,D
UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
