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7N60AG-X-TA3-T 参数 Datasheet PDF下载

7N60AG-X-TA3-T图片预览
型号: 7N60AG-X-TA3-T
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内容描述: 7安培, 600/650伏特N沟道功率MOSFET [7 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 276 K
品牌: UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
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UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
7N60A
7安培, 600/650伏特
N沟道功率MOSFET
描述
在UTC
7N60A
是一种高电压N沟道增强
型功率场效应晶体管和被设计成具有
最大限度地减少通态电阻,优越的开关
性能,并能承受高能量脉冲雪崩
和减刑模式。这种功率MOSFET非常适合
高效率的开关模式电源。
功率MOSFET
特点
* R
DS ( ON)
= 1.2Ω @V
GS
= 10 V
*超低栅极电荷(典型的28 NC)
*低反向传输电容(C
RSS
=典型12 pF的)
*快速开关能力
*雪崩能量测试
*改进dv / dt能力,高耐用性
无铅:
7N60AL
无卤: 7N60AG
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
订购数量
无铅电镀
无卤
7N60AL-x-TA3-T
7N60AG-x-TA3-T
7N60AL-x-TF1-T
7N60AG-x-TF1-T
7N60AL-x-TF3-T
7N60AG-x-TF3-T
注:引脚分配: G:门D:漏极S:源
TO-220
TO-220F1
TO-220F
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
G
D
S
填料
www.unisonic.com.tw
©2009 Unisonic技术有限公司
1 7
VQW-R502-111,D