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50N06 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 50N06
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内容描述: 50安培, 60伏特N沟道功率MOSFET [50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 326 K
品牌: UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
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50N06
电气特性(续)
开关特性
导通延迟时间
t
D(上)
V
DD
= 30V ,我
D
=25 A,
开启上升时间
t
R
R
G
= 50Ω (注1,2)
打开-O FF延迟时间
t
D(关闭)
关断下降时间
t
F
总栅极电荷
Q
G
V
DS
= 48V, V
GS
= 10 V
栅极 - 源电荷
Q
GS
I
D
= 50A (注1,2)
栅极 - 漏极电荷
Q
GD
漏源二极管的特性和最大额定值
漏源二极管的正向电压
V
SD
I
S
= 50A ,V
GS
= 0 V
最大连续漏源二极管
I
S
正向电流
最大脉冲漏源极二极管
I
SM
正向电流
反向恢复时间
t
RR
I
S
= 50A ,V
GS
= 0 V
dI
F
/ DT = 100 A / μs的
反向恢复电荷
Q
RR
注:1.脉冲测试:脉冲width≤300μs ,职务cycle≤2 %
2.基本上是独立工作温度
功率MOSFET
40
100
90
80
30
9.6
10
60
200
180
160
40
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
A
A
ns
μC
1.5
50
200
54
81
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
www.unisonic.com.tw
3 8
QW-R502-088.E