50N06
绝对最大额定值
参数
符号
V
DSS
V
GSS
功率MOSFET
评级
单位
漏源电压
60
V
栅源电压
±20
V
T
C
= 25°C
50
A
连续漏电流
I
D
T
C
= 100°C
35
A
漏电流脉冲（注2 ）
I
DM
200
A
单脉冲（注3 ）
E
AS
480
mJ
雪崩能量
13
mJ
重复的（注2）
E
AR
峰值二极管恢复的dv / dt （注4 ）
dv / dt的
7
V / ns的
TO-220
120
W
TO-220F
70
W
功率耗散（T
C
=25°C)
P
D
TO-251
136
W
TO-252
136
W
结温
T
J
+150
°C
操作和储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注：1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.重复评价：脉冲宽度限制T
J
3， L = 0.38mH ，我
AS
= 50A ，V
DD
= 25V ，R
G
= 20Ω ，起始物为
J
=25°C
4. I
SD
≤50A,
DI / dt≤300A / μs的，V
DD
ΔBV
DSS
，起始物为
J
=25°C
热数据
参数
结到环境
TO-220
TO-220F
TO-251
TO-252
TO-220
TO-220F
TO-251
TO-252
符号
θ
JA
等级
62
62
100
100
1.24
1.78
1.1
1.1
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
结到外壳
θ
JC
电气特性
(T
C
= 25 ° C，除非另有规定编）
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
前锋
栅极 - 源极漏电流
反向
击穿电压温度
系数
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
BV
DSS
I
DSS
测试条件
最小典型最大单位
60
10
100
-100
0.07
2.0
18
4.0
23
V
μA
nA
nA
V /°C的
V
mΩ
pF
pF
pF
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
μA
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 20V, V
DS
= 0 V
I
GSS
V
GS
= -20V, V
DS
= 0 V
I = 250
μA,
△
BV
DSS
/△T
J·D
参考25 ℃下
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μA
V
GS
= 10 V，I
D
= 25 A
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V
F = 1MHz的
900 1220
430 550
80 100
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2第8
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