4N60
典型特征（续）
导通电阻变化VS漏
.
电流和栅极电压
6
5
4
3
2
1
0
0
注：t
J
=25℃
功率MOSFET
在国家电流与允许外壳
温度
反向漏电流，I
DR
(A)
漏源导通电阻，
R
DS （ ON）
（欧姆）
10
150℃
25℃
1
注意事项：
1. V
GS
=0V
2. 250μs的测试
0.1
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8
源极 - 漏极电压，V
SD
(V)
栅极电荷特性
12
V
GS
=20V
V
GS
=10V
6
8
10 12
2
4
漏电流，我
D
(A)
电容特性
（不重复）
1200
1000
电容（pF）
栅源电压，V
GS
(V)
C
ISS =
C
gs
+C
gd
(C
ds
=短路）
C
OSS
=C
ds
+C
gd
C
RS s
=C
gd
10
8
6
4
2
0
C
国际空间站
C
OSS
注意事项：
1. V
GS
=0V
2， F = 1MHz的
V
DS
=300V
V
DS
=480V
V
DS
=120V
800
600
400
200
0
0.1
C
RSS
1
注：我
D
=4A
0
5
10
15
20
25
10
汲极SourceVoltage V
DS
(V)
,
总栅极电荷，Q
G
（ NC ）
瞬态热响应
曲线
1
热响应，
θ
JC
(t)
功耗
120
100
80
0.1
注意事项：
1.
θ
J·C
（ T） = 1.18 ℃ / W最大。
2.占空比，D = T 1 / T2
3. T
J·M
-T
C
=P
DM
×θ
JC
(t)
P
D
(w)
60
40
20
0.01
1E-5
1E-4 1E-3 0.01 0.1
1
10
方波脉冲持续时间T
1
（秒）
,
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160
T
C
(°C)
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第7 8
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