UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
4N60
4安培， 600伏
N沟道功率MOSFET
描述
与UTC 4N60是一个高电压MOSFET ，并设计成
有更好的特性，如快速开关时间，低门
电荷，低通态电阻，并具有高耐用雪崩
的特点。这个功率MOSFET通常用在高速
开关电源中的应用， PWM马达控制，高
高效率的DC -DC转换器和电桥电路。
1
TO-220
功率MOSFET
1
TO-220F
特点
* R
DS （ ON）
= 2.5Ω @V
GS
= 10 V
*超低栅极电荷（典型的15 NC）
*低反向传输电容（C
RSS
=典型8.0 pF的）
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
*改进dv / dt能力，高耐用性
*无铅电镀产品编号： 4N60L
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
订单号
正常
无铅电镀
4N60-TA3-T
4N60L-TA3-T
4N60-TF3-T
4N60L-TF3-T
包
TO-220
TO-220F
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
填料
管
管
4N60L-TA3-T
（ 1 ）包装类型
（ 2 ）封装类型
（ 3 ）铅电镀
（ 1 ） T：管， R：带卷轴
（ 2 ） TA3 ： TO- 220 ， TF3 ： TO- 220F
（ 3）L ：无铅电镀空白：铅/锡
,
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1第8
QW-R502-061,E
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