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    4N60G-TF3-T 参数 Datasheet PDF下载

    4N60G-TF3-T图片预览
    型号： 4N60G-TF3-T
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 4A ， 600V N沟道功率MOSFET [4A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 8 页 / 371 K
    品牌： UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
     浏览型号4N60G-TF3-T的Datasheet PDF文件第1页浏览型号4N60G-TF3-T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号4N60G-TF3-T的Datasheet PDF文件第3页浏览型号4N60G-TF3-T的Datasheet PDF文件第4页浏览型号4N60G-TF3-T的Datasheet PDF文件第5页浏览型号4N60G-TF3-T的Datasheet PDF文件第6页浏览型号4N60G-TF3-T的Datasheet PDF文件第8页  
    4N60
    典型特征（续）
    功率MOSFET
    电容特性
    （不重复）
    1200
    1000
    800
    600
    400
    200
    0
    0.1
    C
    RSS
    1
    10
    C
    OSS
    C
    ISS =
    C
    gs
    +C
    gd
    (C
    ds
    =短路）
    C
    OSS
    =C
    ds
    +C
    gd
    C
    RSS
    =C
    gd
    栅极电荷特性
    12
    10
    V
    DS
    =300V
    V
    DS
    =480V
    V
    DS
    =120V
    C
    国际空间站
    注意事项：
    1. V
    GS
    =0V
    2， F = 1MHz的
    8
    6
    4
    2
    0
    0
    注：我
    D
    =4A
    5
    10
    15
    20
    25
    汲极SourceVoltage ，V
    DS
    (V)
    总栅极电荷，Q
    G
    （ NC ）
    热响应，
    θ
    JC
    (t)
    UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
    www.unisonic.com.tw
    P
    D
    (w)
    第7 8
    QW-R502-061,Q

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