4N60
电气特性
(T
C
= 25° С ，除非另有规定）
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
符号
BV
DSS
I
DSS
测试条件
功率MOSFET
最小典型最大单位
600
V
10
μA
100 nA的
-100 nA的
V/°С
4.0
2.5
670
90
11
35
100
60
80
20
V
Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
A
A
ns
μC
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
V
DS
= 600V, V
GS
= 0V
前锋
V
GS
= 30V, V
DS
= 0V
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
反向
V
GS
= -30V, V
DS
= 0V
击穿电压温度系数
△
BV
DSS
/△T
J
I
D
= 250μA ，引用至25℃
基本特征
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.2A
动态特性
输入电容
C
国际空间站
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
输出电容
C
OSS
F = 1MHz的
反向传输电容
C
RSS
开关特性
导通延迟时间
t
D（上）
开启上升时间
t
R
V
DD
= 300V ，我
D
= 4.0A,
R
G
= 25Ω （注1,2）
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
总栅极电荷
Q
G
V
DS
= 480V ，我
D
= 4.0A,
栅极 - 源电荷
Q
GS
V
GS
= 10V （注1,2）
栅极 - 漏极电荷
Q
GD
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压
V
SD
V
GS
= 0V时，我
S
= 4.4A
最大连续漏源二极管
I
S
正向电流
最大脉冲漏源极二极管
I
SM
正向电流
反向恢复时间
t
rr
V
GS
= 0 V，I
S
= 4.4A,
dI
F
/ DT = 100 A / μs的（注1 ）
反向恢复电荷
Q
RR
注：1.脉冲测试：脉冲width≤300μs ，职务cycle≤2 ％
2.基本上是独立工作温度
0.6
2.0
2.2
520
70
8
13
45
25
35
15
3.4
7.1
1.4
4.4
17.6
250
1.5
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3 8
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