2N60
电气特性
(T
J
= 25° С ，除非另有规定）
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
前锋
反向
2N60-A
2N60-B
符号
BV
DSS
I
DSS
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
功率MOSFET
最小典型最大单位
600
650
10
100
-100
0.4
2.0
3.8
270
40
5
10
25
20
25
9.0
1.6
4.3
4.0
5
350
50
7
30
60
50
60
11
V
V
μA
nA
nA
V/°С
V
Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
A
A
ns
μC
击穿电压温度系数
V
DS
= 600V, V
GS
= 0V
V
GS
= 30V, V
DS
= 0V
I
GSS
V
GS
= -30V, V
DS
= 0V
I
D
= 250
μA,
参考
ΔBV
DSS
/
△
T
J
25°C
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 10V ，我
D
=1A
基本特征
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
动态特性
输入电容
C
国际空间站
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
开关特性
导通延迟时间
t
D（上）
开启上升时间
t
R
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
总栅极电荷
Q
G
栅极 - 源电荷
Q
GS
栅极 - 漏极电荷
Q
GD
漏源二极管的特性
漏源二极管的正向电压
V
SD
连续漏 - 源电流
I
SD
脉冲漏源电流
I
SM
反向恢复时间
t
RR
反向恢复电荷
Q
RR
注：1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比cycle≤2 ％
2.基本上是独立工作温度
V
DS
=25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
V
DD
= 300V ，我
D
=2.4A,
R
G
=25Ω
（注1,2）
V
DS
=480V, V
GS
=10V,
I
D
=2.4A
（注1,2）
V
GS
= 0 V，I
SD
= 2.0 A
1.4
2.0
8.0
180
0.72
V
GS
= 0 V，I
SD
= 2.4A,
的di / dt = 100 A / μs的（注1）
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3 6
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