2N60 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2N60
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内容描述：	2安培， 600/650伏特N沟道功率MOSFET [2 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	6 页 / 219 K
品牌：	UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]

UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。， LTD。

2N60

2安培， 600/650伏特

N沟道功率MOSFET

描述

在UTC

2N60

是一个高电压MOSFET ，并设计成

有更好的特性，如快速开关时间，低门

电荷，低通态电阻，并具有高耐用雪崩

的特点。这个功率MOSFET通常用在高速

开关电源中的应用， PWM马达控制，高

高效率的DC -DC转换器和电桥电路。

功率MOSFET

TO-220

TO-220F

TO-220F1

TO-262

特点

* R

DS （ ON）

= 5Ω@V

= 10V

*超低栅极电荷（典型值9.0nC ）

*低反向传输电容（C

RSS

=典型5.0 pF的）

*快速开关能力

*较高的雪崩能量

*改进dv / dt能力，高耐用性

TO-251

TO-252

TO-126

TO-251L

符号

订购信息

订购数量

无铅

无卤

2N60L-x-TA3-T

2N60G-x-TA3-T

2N60L-x-TF1-T

2N60G-x-TF1-T

2N60L-x-TF3-T

2N60G-x-TF3-T

2N60L-x-TM3-T

2N60G-x-TM3-T

2N60L-x-TMA-T

2N60G-x-TMA-T

2N60L-x-TN3-R

2N60G-x-TN3-R

2N60L-x-T2Q-T

2N60G-x-T2Q-T

2N60L-x-T60-K

2N60G-x-T60-K

注：引脚分配： G：门D：漏极S：源

包

TO-220

TO-220F1

TO-220F

TO-251

TO-251L

TO-252

TO-262

TO-126

引脚分配

填料

管

带盘

管

体积

www.unisonic.com.tw

1 6

QW-R502-053,Ma

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