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2N60 参数 Datasheet PDF下载

2N60图片预览
型号: 2N60
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内容描述: 2安培, 600伏特N沟道MOSFET [2 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 143 K
品牌: UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
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2N60
典型特征
在区域特征
TOP :
V
GS
15.0V
10 .0V
8 .0V
7 .0V
6 .5V
6 .0V
Bottorm :
5.5V
功率MOSFET
传输特性
V
DS
=50V
250μs的脉冲测试
漏电流,我
D
(A)
10
0
漏电流,我
D
(A)
85℃
10
0
25℃
-20℃
10
-1
10
-2
10
-1
250μs的脉冲测试
T
C
=25℃
10
0
10
1
10
-1
2
4
6
8
10
漏极 - 源极电压V
DS
(V)
栅源电压,V
GS
(V)
导通电阻变化VS漏电流和
.
栅极电压
体二极管正向电压Variationvs 。
源电流和温度
V
GS
=0V
250μs的脉冲测试
漏源导通电阻,R
DS ( ON)
(Ω)
12
10
8
6
4
2
0
T
J
=25℃
V
GS
=20V
反向漏电流,I
DR
(A)
V
GS
=10V
10
0
125℃
25℃
0
1
2
3
4
5
6
10
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
漏电流,我
D
(A)
源极 - 漏极电压,V
SD
(V)
电容与漏源电压
500
400
电容(pF)
C
国际空间站
300
C
OSS
200
100
0
C
RSS
V
GS
=0V
F = 1MHz的
10
-1
10
0
10
1
C
ISS =
C
GS
+C
GD
(C
DS
=短路)
C
OSS
=C
DS
+C
GD
C
RSS
=C
GD
12
栅极电荷与栅极电荷电压
V
DS
=120V
栅源电压,V
GS
(V)
10
8
6
4
2
0
I
D
=2.4A
0
2
4
6
8
1
0
V
DS
=300V
V
DS
=480V
漏极 - 源极电压V
DS
(V)
总栅极电荷,Q
G
( NC )
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
www.unisonic.com.tw
6 8
QW-R502-053,E