2N60
绝对最大额定值
(
T
C
= 25 ℃ ，除非另有规定）
参数
符号
V
DSS
V
GSS
I
AR
功率MOSFET
评级
单位
漏源电压
600
V
栅源电压
±30
V
雪崩电流（注2）
2.0
A
T
C
= 25°C
2.0
A
I
D
漏电流连续
T
C
= 100°C
1.26
A
漏电流脉冲（注2 ）
I
DP
8.0
A
重复的（注2）
E
AR
4.5
mJ
雪崩能量
单脉冲（注3 ）
E
AS
140
mJ
峰值二极管恢复的dv / dt （注4 ）
dv / dt的
4.5
V / ns的
T
C
= 25°C
45
W
总功耗
P
D
减免上述25℃
0.36
W/℃
结温
T
J
+150
℃
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
℃
注： 1 。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
3. L = 64mH ，我
AS
= 2.0A ，V
DD
= 50V ，R
G
=25
Ω,
起始物为
J
= 25°C
4. I
SD
≤
2.4A ， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS
，起始物为
J
= 25°C
热数据
参数
热阻结到环境
包
TO-251
TO-252
TO-220
TO-220F
TO-251
TO-252
TO-220
TO-220F
符号
θ
JA
评级
112
112
54
54
12
12
4
4
单位
℃/W
热阻结案件
θ
Jc
电气特性
(T
J
= 25 ℃ ，除非另有说明）。
参数
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
前锋
反向
击穿电压温度
系数
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
门体漏电流
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250µA
V
DS
= 600V, V
GS
= 0V
V
DS
= 480V ，T
C
= 125°C
V
GS
= 30V, V
DS
= 0V
V
GS
= -30V, V
DS
= 0V
民
600
10
100
100
-100
0.4
2.0
3.8
2.25
270
40
5
4.0
5
典型值
最大
单位
V
µA
µA
nA
nA
V/℃
V
Ω
S
pF
pF
pF
ΔBV
DSS
/
I
D
= 250 µA
△
T
J
V
GS （ TH）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250µA
R
DS （ ON）
V
GS
= 10V ，我
D
=1A
g
FS
V
DS
= 50V ，我
D
= 1A （注1 ）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
=25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
350
50
7
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www.unisonic.com.tw
2第8
QW-R502-053,E
UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
