24N50_12 参数 Datasheet PDF下载

型号：	24N50_12
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内容描述：	24A ， 500V N沟道功率MOSFET [24A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	6 页 / 208 K
品牌：	UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]

24N50

电气特性（续）

参数

符号

测试条件

切换参数

总栅极电荷

=10V, V

= 400V ，我

=24A

门源费

（注1,2）

栅漏电荷

导通延迟时间

D（上）

上升时间

= 250V ，我

= 24A ，R

=25Ω

（注1,2）

打开-O FF延迟时间

D（关闭）

下降时间

源 - 漏二极管额定值和特性

最大体二极管连续电流

最大体二极管脉冲电流

漏源二极管的正向电压

= 24A ，V

=0V

体二极管反向恢复时间

= 24A ，V

=0V,

/ DT = 100A / μs的（注1 ）

体二极管反向恢复电荷

注： 1.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300μS ，占空比

≤

2.基本上是独立工作温度

功率MOSFET

最小典型最大单位

250

200

155

120

µC

170

500

400

320

1.4

250

1.1

UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。， LTD。

www.unisonic.com.tw

3 6

QW-R502-533.D

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