24N50
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃，除非另有规定）
功率MOSFET
参数
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
500
V
栅源电压
V
GSS
±30
V
I
D
24 （注2）
A
连续（T
C
=25°C)
漏电流
脉冲（注3）
I
DM
96 （注2）
A
雪崩电流（注3）
I
AR
24
A
1100
mJ
单脉冲（注4 ）
E
AS
雪崩能量
重复（注5 ）
E
AR
29
mJ
峰值二极管恢复的dv / dt （注5 ）
dv / dt的
15
V / ns的
功耗
290
W
P
D
减免上述25℃
2.33
W / ℃，
结温
T
J
+150
°C
储存温度
T
英镑
-55~+150
°C
注： 1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.漏电流受最高结温
3.重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温
4， L = 3.4mH ，我
AS
= 24A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
= 25°C
5. I
SD
≤
24A ， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS
，起始物为
J
= 25°C
热数据
参数
结到环境
结到外壳
符号
θ
JA
θ
JC
评级
40
0.43
单位
° C / W
° C / W
电气特性
(T
C
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
前锋
栅源漏电流
反向
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
动力参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=500V, V
GS
=0V
V
GS
=+30V, V
DS
=0V
V
GS
=-30V, V
DS
=0V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250µA
V
GS
= 10V ，我
D
=12A
最小典型最大单位
500
V
50
µA
100 nA的
-100 nA的
4.0
0.15 0.24
3500 4500
520 670
55
70
V
Ω
pF
pF
pF
2.0
V
GS
=0V, V
DS
= 25V ， F = 1.0MHz的
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2 6
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UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
