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1N70G-T92-R 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 1N70G-T92-R
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内容描述: 1.2A , 700V N沟道功率MOSFET [1.2A, 700V N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 307 K
品牌: UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
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1N70
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃ ,除非另有规定)
参数
功率MOSFET
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
700
V
栅源电压
V
GSS
±30
V
雪崩电流(注2)
I
AR
1.2
A
连续漏电流
I
D
1.2
A
漏电流脉冲(注2 )
I
DM
4.8
A
单脉冲(注3 )
E
AS
50
mJ
雪崩能量
4.0
mJ
重复的(注2)
E
AR
峰值二极管恢复的dv / dt (注4 )
dv / dt的
4.5
V / ns的
功耗
P
D
3
W
结温
T
J
+150
工作温度
T
OPR
-55 ~ +150
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
注:1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.重复评价:脉冲宽度有限的最高结温
3. L = 60mH ,我
AS
= 1A ,V
DD
= 50V ,R
G
= 25Ω ,起始物为
J
= 25°C
4. I
SD
1.2A , di / dt的
200A / μs的,V
DD
BV
DSS
,起始物为
J
= 25°C
热数据
参数
结到环境
结到外壳
符号
θ
JA
θ
Jc
评级
79
29
单位
℃/W
℃/W
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
www.unisonic.com.tw
2第8
QW-R502-171,C