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1N70G-T92-R 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 1N70G-T92-R
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内容描述: 1.2A , 700V N沟道功率MOSFET [1.2A, 700V N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 307 K
品牌: UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
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UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
1N70
1.2A , 700V N沟道
功率MOSFET
描述
在UTC
1N70
是一个高电压MOSFET ,并设计成
有更好的特性,如快速开关时间,低门
电荷,低通态电阻,并具有高耐用雪崩
的特点。这个功率MOSFET通常用在高速
开关电源中的应用, PWM马达控制,高
高效率的DC -DC转换器和电桥电路。
功率MOSFET
特点
* R
DS ( ON)
=13.5Ω@V
GS
= 10V.
*超低栅极电荷(典型值5.0nC )
*低反向传输电容(C
RSS
=典型3.0 pF的)
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
*改进dv / dt能力,高耐用性
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
1N70L-T92-B
1N70G-T92-B
1N70L-T92-K
1N70G-T92-K
1N70L-T92-R
1N70G-T92-R
TO-92
TO-92
TO-92
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
G
D
S
填料
磁带盒
体积
带盘
www.unisonic.com.tw
©2011 Unisonic技术有限公司
1第8
QW-R502-171,C