1N65A 参数 Datasheet PDF下载

型号：	1N65A
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内容描述：	0.5A ， 650V N沟道功率MOSFET [0.5A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	8 页 / 197 K
品牌：	UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]

1N65A

典型特征（续）

击穿电压比。温度

漏源击穿电压BV

DSS ，

（归一化）

1.2

漏源导通电阻，R

DS （ ON）

（归一化）

=0V

=250μA

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

-100

100 150

-50

结温，T

(°C)

200

-100

功率MOSFET

导通电阻与温度

=10V

=0.5A

1.1

1.0

0.9

0.8

-50

100 150

结温，T

(°C)

200

马克斯。安全工作区

操作在此

区域由限定

DS （ ON）

漏电流，我

(A)

100μs

1ms

10ms

1.0

马克斯。漏电流与外壳温度

漏电流，我

(A)

0.5

-1

=25°C

=150°C

单脉冲

漏极 - 源极电压V

(V)

热响应

-2

0.0

125

100

外壳温度，T

(°C)

150

热响应，

(t)

0.5

0.2

0.1

0.0

（ T） = 3.45 ° C / W最大。

占空比， D = T1 / T2

-T

×θ

(t)

-1

0.0

单脉冲

-5

-4

-3

-2

-1

方波脉冲持续时间，T

（秒）

UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。， LTD。

www.unisonic.com.tw

第7 8

QW-R502-584.B

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