1N65A
电气特性
(T
J
= 25C ，除非另有说明）。
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
符号
BV
DSS
I
DSS
测试条件
功率MOSFET
最小典型最大单位
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
650
V
V
DS
= 650V, V
GS
= 0V
10
μA
100 nA的
前锋
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
反向
V
GS
= -20V, V
DS
= 0V
-100 nA的
击穿电压温度系数
ΔBV
DSS
/
△
T
J
I
D
= 250毫安，引用至25℃
0.4
V /°C的
基本特征
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
2.0
4.5
V
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.5A
11.5 15.5
Ω
动态特性
100 pF的
输入电容
C
国际空间站
V
DS
=25V, V
GS
=0V,
输出电容
C
OSS
20
pF
f=1MHz
反向传输电容
C
RSS
3
pF
开关特性
导通延迟时间
t
D（上）
12
34
ns
开启上升时间
t
R
11
32
ns
V
DD
= 325V ，我
D
=0.5A,
R
G
= 5Ω （注1,2 ）
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
40
90
ns
关断下降时间
t
F
18
46
ns
总栅极电荷
Q
G
8
10
nC
V
DS
=520V, V
GS
=10V,
栅极 - 源电荷
Q
GS
1.8
nC
I
D
= 0.8A （注1,2 ）
栅极 - 漏极电荷
Q
GD
4.0
nC
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压
V
SD
V
GS
= 0V时，我
SD
= 1.2A
1.6
V
最大连续漏源二极管
I
S
1.2
A
正向电流
最大脉冲漏源极二极管
I
SM
4.8
A
正向电流
反向恢复时间
t
rr
V
GS
= 0V时，我
SD
= 1.2A
136
ns
的di / dt = 100A / μs的
反向恢复电荷
Q
RR
0.3
μC
注：1.脉冲测试：脉冲width≤300μs ，职务cycle≤2 ％
2.基本上是独立的工作温度。
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