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1N60_11 参数 Datasheet PDF下载

1N60_11图片预览
型号: 1N60_11
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内容描述: 1.2A , 600V N沟道功率MOSFET [1.2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 277 K
品牌: UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
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1N60
电气特性
(T
C
= 25 ℃ ,除非另有说明)。
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
前锋
反向
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
=250μA
V
DS
=600V, V
GS
=0V
V
GS
=30V, V
DS
=0V
V
GS
=-30V, V
DS
=0V
功率MOSFET
最小典型最大单位
600
10
100
-100
0.4
2.0
4.0
9.3 11.5
120 150
20
25
3.0 4.0
5
25
7
25
5.0
1.0
2.6
20
60
25
60
6.0
V
μA
nA
nA
V/℃
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
A
A
ns
μC
击穿电压温度
ΔBV
DSS
/
T
J
I
D
=250μA
系数
基本特征
栅极阈值电压
V
GS ( TH)
V
DS
=V
GS
, I
D
=250μA
静态漏源导通电阻
R
DS ( ON)
V
GS
= 10V ,我
D
=0.6A
动态特性
输入电容
C
国际空间站
V
DS
=25V, V
GS
= 0V , F = 1MHz的
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
开关特性
导通延迟时间
t
D(上)
V
DD
= 300V ,我
D
= 1.2A ,R
G
=50Ω
开启上升时间
t
R
(注2,3 )
打开-O FF延迟时间
t
D(关闭)
关断下降时间
t
F
总栅极电荷
Q
G
V
DS
=480V, V
GS
= 10V ,我
D
=1.2A
栅极 - 源电荷
Q
GS
(注2,3 )
栅极 - 漏极电荷
Q
GD
源极 - 漏极二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压
V
SD
V
GS
= 0V时,我
S
=1.2A
最大连续漏源二极管
I
S
正向电流
最大脉冲漏源极二极管
I
SM
正向电流
反向恢复时间
t
RR
V
GS
= 0V时,我
S
=1.2A
dI
F
/ DT = 100A / μs的(注1 )
反向恢复电荷
Q
RR
注: 1,重复评级:脉冲宽度有限的最高结温
2.脉冲测试:脉冲宽度
≤300μs,
值班Cycle≤2 %
3.基本上不受工作温度
1.4
1.2
4.8
160
0.3
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
www.unisonic.com.tw
3 6
QW-R502-052.J